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企業概要

 当社の研究開発は先進技術ソリューションカテゴリーの基礎研究となっており、当事業年度の研究開発費の総額は27,662千円であります。このうち、当社は国立大学法人東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(以降、CIES)及び東北大学工学研究科と共同研究を進めており、以下の3つのテーマの研究開発を行っております。

 当社の研究開発はスピントロニクス技術を用いた次世代メモリとAIとの融合をテーマとしております。現在CIESで研究開発されているスピントロニクス技術を用いた次世代メモリは、世界トップレベルの技術であり(*1)、これを搭載したマイコンやAIプロセッサの消費電力は、従来のプロセッサに比べ性能を落とすことなく1/100~1/1,000に低減できるという実績が報告されております(*2)。近年の自動運転・画像処理・IoT機器・ロボット産業といった分野の急成長には、低消費電力化が不可欠です。CIESの次世代メモリ及びそれを搭載したチップの研究成果は、上述した分野の急成長の実現に大きく貢献することが期待されています。CIESの取り決めにより、共同研究への参加企業は「1業種1社」とされており、当社はこの研究活動の中で、特にこれらに関連したソフトウエアの研究開発全般を担当します。現在は、以下のテーマを中心に研究開発活動を行っております。

(1) スピントロニクス技術を搭載した次世代メモリのエラー訂正技術の研究開発

 スピントロニクス技術を搭載した次世代メモリは、既存のメモリと同様に書き込み・読み込み時のビット反転エラーが発生することがあります。このエラービットを訂正するには『誤り訂正符号』と呼ばれるエラー訂正技術が有効です。これは、元の情報に訂正用の情報を付加して冗長性を持たせることによりエラーを訂正する技術です。エラー訂正符号は既にフラッシュメモリなどで利用されていますが、次世代メモリはフラッシュメモリよりも高速な動作が期待されているため、当社ではエラー訂正符号が高速かつ安定に動作するアルゴリズムの研究開発を進めております。

(2) スピントロニクス技術搭載AIプロセッサ用アプリケーションソフトウエアの研究開発

 自動運転や産業用機器、IoT機器に搭載されるAIプロセッサは消費電力が少なく応答が速いことが期待されておりますが、現状ではまだ開発途上のステージにあります。消費電力と応答に優れたスピントロニクス技術を用いた次世代メモリをAIプロセッサに搭載することで、これまでの機器よりもさらに省エネ・小型化・高機能化を実現することが可能であります。当社では、次世代メモリを搭載したAIプロセッサを最大限に活かすためのソフトウエア開発技術の研究開発を進めております。

(3) 物体認識向けAIプロセッサにおける高効率高性能アルゴリズムの研究

AIの主な活用先として、音声認識、画像認識等が挙げられます。その中で、物体認識の応用範囲は広く様々なアプリケーションで用いられることが知られています。本研究では、スピントロニクス技術を用いた次世代メモリを搭載するAIプロセッサに適した省電力・高性能な物体検出アルゴリズムの研究開発を進めております。

*1 CIESは、世界初となる各実証に成功しており、世界トップレベルの技術を有していると認識しております。

・「スピントロニクス技術とCMOS技術の融合により、スピン軌道トルク型磁気トンネル接合(SOT-MTJ)素子を用いた不揮発メモリ(SOT-MRAM)チップの試作・実証に初めて成功」(2020年6月16日)

http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2020/06/press20200616-01-sot-mram.html

・「4重界面磁気トンネル接合素子(Quad-MTJ)の材料・デバイス技術の開発により、工業製品化されている従来の2重界面磁気トンネル接合素子(Double-MTJ)では困難であった車載スペックでの10年以上のデータ保持特性を維持しながら、1)10ナノ秒(ns)の高速書き込み動作と、2)21%の低消費電力動作と、3)1011回以上の高書込み耐性の同時達成を世界で初めて実証(2020年6月15日)

http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2020/06/press20200615-01STT-MRAM.html

 また、第14回産学官連携功労者表彰で、CIESの研究成果が「内閣総理大臣賞」を受賞しております。

*2 「日経エレクトロニクス」2020年6月号 P28~38 日経BP社

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