当社グループの技術は、光応用技術をコアに、エレクトロニクス、精密機構、及び画像処理などの周辺技術を融合させたオプトメカトロニクスと呼ばれる複合技術で、代表的な製品である半導体マスク欠陥検査装置やマスクブランクス欠陥検査／レビュー装置、レーザー顕微鏡、及びEUVマスク欠陥検査装置ほか、すべての製品開発に活用されています。

　新しい製品の開発にあたっては、既に製品を納入している多くのお客さまや各種研究開発機関へのサービス・サポートを通じて、お客さまの顕在化した要望のみならず、潜在的なニーズも的確につかみ、独創的な視点と技術で素早くソリューションをご提供するように努めております。また、顕微鏡の営業活動などを通じて幅広い業界、市場を調査し、新しいマーケットやアプリケーションを探し出し、それぞれ固有のニーズに合致した新製品を生み出すことも同時に心がけております。

　当社グループは、光学技術を追求する過程で、独自のコア技術を確立してまいりました。共焦点光学系、DUV（Deep Ultraviolet、遠紫外線）光学系、EUV（Extreme Ultraviolet、極端紫外線）光学系、及び光干渉計技術などの光学技術を進化させ、高度な周辺技術との融合によって特徴ある製品を生み出しています。また、高精度高速ステージ開発のための精密機構技術、あるいは欠陥検出の画像処理技術などを継続的に深化させ、近年ではAI技術を応用した自動欠陥分類の開発を進めるなど、お客さまのニーズに対してタイムリーにソリューションを提供できる研究・製品開発を進めています。

　当連結会計年度における研究開発の成果として発売された新製品は次のとおりです。

「高輝度EUVプラズマ光源　URASHIMA」

　「URASHIMA」は、ACTISの光学系に最適化した設計によってペリクルへの入熱を最小限に抑えることで、ペリクルの劣化を防止しながらペリクル付きマスクの高輝度照明による高感度検査を可能にした製品です。高速回転する液体状のSnにレーザーを照射してEUV光を発生させるLPP（Laser Produced Plasma）方式を採用しています。Snを使ったEUV光源では、デブリの抑制が重要な課題のひとつです。本製品は、当社が独自に開発したデブリミチゲーションシステムを用いることで、マスクがデブリで汚染されることのないデブリフリーのEUV光源であることに加えて、照明光学系のコンタミネーションも抑制し、従来を上回る生産性を実現しました。

「アクティニックEUVパターンマスク欠陥検査装置　ACTIS A300シリーズ」

　「A300」は、新たに設計された光学系や高輝度光源「URASHIMA」を採用し、従来のA150シリーズと比較して非常に高い欠陥検出性能を実現しました。High-NAリソグラフィではXY方向の投影倍率が異なるアナモルフィック光学系が採用され、それぞれの方向で異なる解像度が求められます。A300シリーズは現行のNAリソグラフィ向けとHigh-NAリソグラフィ向け、両方のEUVマスク検査に対応しています。

「ビア深さ測定装置　VIANCAシリーズ」

　「VIANCA」は、次世代プロセスで必要とされる高アスペクトレシオ小径ビアのエッチング深さの高精度な測定を可能にした装置です。AI技術の発展に伴いより高性能なGPUが必要とされる中、GPUに搭載されるHBM（広帯域メモリ）にも高性能化と小型化が求められており、HBM製造時に用いられるTSV（シリコン貫通電極）技術のさらなる小径化と高アスペクト化が大きな課題となっています。本製品は、独自の光学系により、従来の光学系では測定不可能であった高アスペクトレシオ小径ビアの深さ測定を実現し、Cu配線後のCu高さ測定等、HBM製造工程における重要な品質管理項目を高精度に測定することを可能にしました。

　当連結会計年度の研究開発費の総額は、12,165百万円であります。

　なお、当社グループの事業は、検査・測定機器の設計、製造、販売を行う単一のセグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。